[发明专利]用于先进的集成电路结构制造的异质金属线构成在审
| 申请号： | 201811307013.8 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109860141A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | A.W.杨;J.斯泰格沃尔德;J.辛;V.奇卡马恩;C.P.奥思 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域，并且具体属于10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括在第一ILD层中并且被第一ILD层间隔开的第一多个导电互连线，其中第一多个导电互连线中的各个导电互连线包括沿着第一导电填充材料的侧壁和底部的第一导电阻挡材料。第二多个导电互连线在第一ILD层上方在第二ILD层中并且被第二ILD层间隔开，其中第二多个导电互连线中的各个导电互连线包括沿着第二导电填充材料的侧壁和底部的第二导电阻挡材料，其中第二导电填充材料在构成上与第一导电填充材料不同。 | ||
| 搜索关键词： | 导电互连 导电填充材料 集成电路结构 导电阻挡材料 侧壁 制造 异质金属 | ||
【主权项】：
1. 一种集成电路结构，包括：第一多个导电互连线，其在基板上方在第一层间电介质（ILD）层中并且被第一层间电介质（ILD）层间隔开，其中第一多个导电互连线中的各个导电互连线包括沿着第一导电填充材料的侧壁和底部的第一导电阻挡材料；以及第二多个导电互连线，其在第一ILD层上方在第二ILD层中并且被第二ILD层间隔开，其中第二多个导电互连线中的各个导电互连线包括沿着第二导电填充材料的侧壁和底部的第二导电阻挡材料，其中第二导电填充材料在构成上与第一导电填充材料不同。
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