[发明专利]用于先进的集成电路结构制造的差异化电压阈值金属栅极结构

摘要

本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域，并且具体为10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构。在示例中，一种集成电路结构包括鳍片。栅极电介质层处于鳍片的顶部之上并且侧向邻接鳍片的侧壁。N型栅电极处于鳍片的顶部之上的栅极电介质层之上并且侧向邻接鳍片的侧壁，N型栅电极包括在栅极电介质层上的P型金属层和在P型金属层上的N型金属层。第一N型源极或漏极区域邻接栅电极的第一侧。第二N型源极或漏极区域邻接栅电极的第二侧，第二侧与第一侧相对。

主权项

1.一种集成电路结构，包括：包含硅的鳍片，所述鳍片具有顶部和侧壁；栅极电介质层，其处于所述鳍片的顶部之上并且侧向邻接所述鳍片的侧壁；N型栅电极，其处于所述鳍片的顶部之上的所述栅极电介质层之上并且侧向邻接所述鳍片的侧壁，所述N型栅电极包括在所述栅极电介质层上的P型金属层和在所述P型金属层上的N型金属层；第一N型源极或漏极区域，其邻接所述栅电极的第一侧；以及第二N型源极或漏极区域，其邻接所述栅电极的第二侧，第二侧与第一侧相对。