[发明专利]一种亚铁磁性半导体LaCu3

摘要

本发明提供了一种亚铁磁性半导体，其化学式为LaCu3Fe2Os2O12，空间群为Pn‑3，晶格常数为居里温度为520K，带隙宽度为约0.2eV。本发明还提供了一种制备所述亚铁磁性半导体的方法，包括：(1)将La2O3、Fe2O3、CuO、Os和氧源研磨混合，得到混合物；(2)将混合物填充到金胶囊或铂胶囊中，密封；(3)将金胶囊或铂胶囊置于6～10GPa的压力以及1000～1200℃的温度下进行处理；和(4)将步骤(3)中处理得到的反应产物降温至室温，卸压，然后从金胶囊或铂胶囊中取出，研磨并清洗，从而得到亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12。本发明的亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12在未来的磁性半导体集成电路器件、红外‑远红外传感器件以及多功能集成器件中具有潜在应用价值。

主权项

1.一种亚铁磁性半导体，其化学式为LaCu3Fe2Os2O12。