[发明专利]块存储器拼接方法、拼接模块、存储装置及现场可编程门阵列有效
申请号: | 201811308535.X | 申请日: | 2018-11-05 |
公开(公告)号: | CN109545256B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 张东晓;许莉;贾红;程显志;陈维新;韦嶔 | 申请(专利权)人: | 西安智多晶微电子有限公司 |
主分类号: | G11C8/12 | 分类号: | G11C8/12;G11C8/06;G11C7/10 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种块存储器拼接方法,包括:根据待处理数据地址的第一数据位宽、第一数据深度计算拼接所用的RAM块的数量;判断所述第一数据位宽与RAM块数据位宽是否满足预设条件,若是,则按照第一规则将所述待处理数据地址存储在所述RAM块中;若否,则按照第二规则将所述待处理数据地址存储在所述RAM块中。本发明通过根据对待处理数据的位宽、深度等特征,计算得到需要拼接的RAM块数量,然后根据本发明提供的具体规则进行分配,让每个RAM块的数据存储及读写分散开,以避免当数据位宽较大的时候,某些RAM块使用很频繁,某些RAM块使用次数少的问题,将使用较为频繁的位均匀的分到多个RAM块上,从而提升运行速度。 | ||
搜索关键词: | 存储器 拼接 方法 模块 存储 装置 现场 可编程 门阵列 | ||
【主权项】:
1.一种块存储器拼接方法,其特征在于,包括:根据待处理数据地址的第一数据位宽、第一数据深度计算拼接所用的RAM块的数量;判断所述第一数据位宽与RAM块数据位宽是否满足预设条件,若是,则按照第一规则将所述待处理数据地址存储在所述RAM块中;若否,则按照第二规则将所述待处理数据地址存储在所述RAM块中。
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