[发明专利]金属互连结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201811308906.4 申请日: 2018-11-05
公开(公告)号: CN109087886B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 薛广杰;李赟;周俊 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/535
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种金属互连结构及其制作方法,所述方法包括:提供一衬底,在衬底上依次形成第一绝缘层与介质层,形成多个第一凹槽在介质层内,第一凹槽暴露出部分第一绝缘层,形成第二绝缘层,第二绝缘层覆盖第一凹槽的侧壁及底部,刻蚀第一凹槽内的第二绝缘层、第一绝缘层以及部分衬底,以形成第二凹槽,第二凹槽侧壁上的第二绝缘层的顶表面低于第二凹槽的顶表面,使得第二凹槽顶部的开口尺寸大于第二凹槽其余位置处的开口尺寸,以及,形成金属层在第二凹槽内,在第二凹槽内形成金属层时,由于顶部的开口尺寸增大,能够增加金属填充时顶部悬垂效应的窗口,降低孔洞形成的可能,从而提高半导体器件的性能。
搜索关键词: 绝缘层 衬底 金属互连结构 开口 顶表面 介质层 金属层 半导体器件 绝缘层覆盖 凹槽侧壁 凹槽顶部 尺寸增大 金属填充 孔洞形成 悬垂 位置处 侧壁 刻蚀 制作 暴露
【主权项】:
1.一种金属互连结构的制作方法,其特征在于,包括:提供一衬底,在所述衬底上依次形成第一绝缘层与介质层;形成多个第一凹槽在所述介质层内,所述第一凹槽暴露出部分所述第一绝缘层;形成第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第一凹槽的侧壁及底部;刻蚀所述第一凹槽内的所述第二绝缘层、所述第一绝缘层以及部分所述衬底,以形成第二凹槽,所述第二凹槽侧壁上的所述第二绝缘层的顶表面低于所述第二凹槽的顶表面,使得所述第二凹槽顶部的开口尺寸大于所述第二凹槽其余位置处的开口尺寸;以及,形成金属层在所述第二凹槽内。
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