[发明专利]半导体器件的制作方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件的制作方法，包括：提供键合后的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆的第一衬底的背面分布有钝化层；执行光刻及刻蚀工艺形成第一开孔；形成硬掩模层，所述硬掩模层至少覆盖所述第一开孔的侧壁表面；执行刻蚀工艺，形成第二开孔；执行光刻及刻蚀工艺，形成第三开孔；以及，形成互连层，互连层通过三个开孔与第二金属层和第一金属层电连接。第一衬底的背面分布有钝化层，形成第一开孔后，在所述第一开孔的侧壁表面形成硬掩模层，执行无掩模刻蚀工艺，形成第二开孔，简化了工艺，省去了一层光罩，降低了生产成本。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供键合后的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括第一衬底、位于所述第一衬底的正面的第一介质层和嵌设于所述第一介质层中的第一金属层，所述第二晶圆包括第二衬底、位于所述第二衬底上的第二介质层和嵌设于所述第二介质层中的第二金属层，所述第一介质层面向所述第二介质层，所述第一衬底的背面分布有钝化层；执行光刻及刻蚀工艺，形成第一开孔，所述第一开孔贯穿所述钝化层和所述第一衬底，所述第一开孔位于所述第一金属层和第二金属层上方；形成硬掩模层，所述硬掩模层至少覆盖所述第一开孔的侧壁表面；执行刻蚀工艺，形成第二开孔，所述第二开孔贯穿所述第一开孔底部部分厚度的所述第一介质层，所述第二开孔位于所述第一金属层上方；形成所述第二开孔的刻蚀工艺中，对所述钝化层的刻蚀速率小于对所述硬掩模层的刻蚀速率；执行光刻及刻蚀工艺，形成第三开孔，所述第三开孔贯穿所述第二开孔底部的所述第一介质层和部分厚度的所述第二介质层，所述第三开孔位于所述第二金属层上方；执行刻蚀工艺，暴露所述第一金属层和第二金属层；以及，形成互连层，所述互连层通过所述第一开孔、第二开孔和第三开孔与所述第二金属层和第一金属层电连接。