[发明专利]具有改良感测的磁电阻内存结构及相关感测方法有效
| 申请号： | 201811310386.0 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110120235B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 阿希尔斯·加史瓦;阿乔伊·P·雅各布;毕尔·C·保罗;威廉·泰勒;岑柏湛 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有改良感测的磁电阻内存结构及相关感测方法，其中，一种磁电阻内存(MRM)结构包括源极线与包括源极区及漏极区的第一晶体管。该源极线电气连接至该第一晶体管的该源极区。该MRM结构进一步包括MRM单元，该MRM单元包括与MRM磁性穿隧接面(MTJ)电气串联的MRM晶体管。该MRM晶体管电气连接至该第一晶体管的该漏极区，致使该MRM单元与该第一晶体管电气串联。另外，该MRM结构进一步包括电气连接至该第一晶体管与该MRM晶体管的中点节点的电压放大器，电气连接至该电压放大器的感测放大器，且电气连接至该MRM单元的该MRM MTJ的位线。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改良 磁电 内存 结构 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁电阻内存(MRM)结构，包含：源极线；第一晶体管，包含源极区与漏极区，其中，该源极线电气连接至该第一晶体管的该源极区；MRM单元，包含与MRM磁性穿隧接面(MTJ)电气串联的MRM晶体管，其中，该MRM晶体管电气连接至该第一晶体管的该漏极区，致使该MRM单元与该第一晶体管电气串联；电压放大器，电气连接至该第一晶体管与该MRM晶体管的中点节点；感测放大器，电气连接至该电压放大器；以及位线，电气连接至该MRM单元的该MRM MTJ。
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