[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201811311350.4 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN109841673A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李钟汉;金完敦;宋在烈;任廷爀;丁炯硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 陈宇;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：栅电极，位于基底上；上覆盖图案，位于栅电极上；以及下覆盖图案，位于栅电极与上覆盖图案之间。下覆盖图案包括：第一部分，位于栅电极与上覆盖图案之间；以及多个第二部分，从第一部分延伸到上覆盖图案的对应的侧表面上。上覆盖图案覆盖第二部分中的每个的最顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 栅电极 覆盖 半导体装置 图案覆盖 侧表面 顶表面 基底 制造 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：栅电极，位于基底上；上覆盖图案，位于栅电极上；以及下覆盖图案，位于栅电极与上覆盖图案之间，其中，下覆盖图案包括：第一部分，位于栅电极与上覆盖图案之间；以及多个第二部分，从第一部分延伸到上覆盖图案的对应的侧表面上，其中，上覆盖图案覆盖第二部分中的每个的最顶表面。
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