[发明专利]晶圆对位的方法有效
申请号: | 201811312276.8 | 申请日: | 2018-11-06 |
公开(公告)号: | CN109378278B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 董健;黄仁德;刘命江 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/68;G01B11/00;G01R31/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 薛异荣;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种晶圆对位的方法,包括:将所述晶圆放置在测试机台中后,所述扫描探头发射测试入射光至晶圆的第一测试区域表面和第二测试区域表面,并获取自第一测试区域中主灰阶对比区表面的第一测试反射光、自第一测试区域中附非标记区表面的第二测试反射光、自第二测试区域中主灰阶对比区表面的第三测试反射光、以及自第二测试区域中附非标记区表面的第四测试反射光;获取第一测试反射光相对于第二测试反射光的第一相对灰阶度;获取第三测试反射光相对于第四测试反射光的第二相对灰阶度;根据第一相对灰阶度和第二相对灰阶度的差异,判断晶圆的对位情况。所述晶圆对位的方法提高了晶圆对位判断的准确率。 | ||
搜索关键词: | 对位 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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