[发明专利]制造存储器件的方法及存储器件

摘要

本申请公开了一种制造存储器件的方法及存储器件。制造存储器件的方法包括：形成绝缘叠层结构，所述绝缘叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层和多个层间绝缘层；基于所述绝缘叠层结构，在所述绝缘叠层结构的中间区域形成核心结构，在所述绝缘叠层结构的边缘区域形成多个分区结构；形成保护层，所述保护层至少覆盖所述分区结构的侧壁，所述侧壁平行于所述绝缘叠层结构的堆叠方向；以及蚀刻各个所述分区结构以在所述分区结构的至少一侧形成多个台阶。该制造存储器件的方法在分区结构的侧壁形成保护层，从而减少或避免台阶形成过程中产生的SDS变形，避免出现电连接线的接触失效问题。

主权项

1.一种制造存储器件的方法，包括：形成绝缘叠层结构，所述绝缘叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层和多个层间绝缘层；基于所述绝缘叠层结构，在所述绝缘叠层结构的中间区域形成核心结构，在所述绝缘叠层结构的边缘区域形成多个分区结构；形成保护层，所述保护层至少覆盖所述分区结构的侧壁；以及蚀刻各个所述分区结构以在所述分区结构的至少一侧形成多个台阶。