[发明专利]钝化接触电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种钝化接触电池及其制备方法。该钝化接触电池的制备方法包括以下步骤：在N型硅片的正面形成P+层；去除背面的背结，之后在背面依次形成隧穿氧化层、非晶硅层以及N+层；增加背面掩膜的厚度，之后依次去除正面磷硅玻璃、正面非晶硅层、背面掩膜与正面硼硅玻璃；在正面生长氧化铝，之后在正面和背面形成氮化硅膜；以及印刷银电极，烧结之后得到钝化接触电池。上述钝化接触电池的制备方法，通过对背面掩膜高温氧化处理，增加背面掩膜的厚度，耐氢氧化四甲基铵溶液腐蚀能力增强，完全去除硅片正面非晶硅层的同时，较好的保护硅片背面的非晶硅层。解决了在制备钝化接触电池过程中非晶硅绕镀的难题，使得接触钝化电池更易于实现量产。

主权项

1.一种钝化接触电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n在N型硅片的正面进行硼扩散形成P⁺层和正面硼硅玻璃；/n去除背面的背结后，在背面依次生长隧穿氧化层、背面非晶硅层，之后在背面进行磷扩散形成N⁺层和背面磷硅玻璃，其中，磷扩散自然形成的背面磷硅玻璃作为背面掩膜；在生长背面非晶硅层的过程中，在正面形成了正面非晶硅层；在背面进行磷扩散的过程中，在正面形成了正面磷硅玻璃；/n增加背面掩膜的厚度，之后依次去除正面磷硅玻璃、正面非晶硅层、背面掩膜与正面硼硅玻璃；/n在正面生长氧化铝，之后在正面和背面形成氮化硅膜；以及/n在正面和背面印刷银电极，烧结之后得到钝化接触电池。/n