[发明专利]一种在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法在审
| 申请号： | 201811313668.6 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN109336070A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张开友;吴丽婷;陈汉;覃爱苗;陈硕平 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法，该纳米片分布均匀，其厚度约为15～50纳米。制备方法为：将硒粉加入水合肼和去离子水的混合液中，并将该溶液转移到反应容器中，将裁剪好的铜基材料放入该容器中在室温下反应1～10分钟，反应完成后对铜基材料进行清洗烘干，即得在铜基上生长的硒化亚铜纳米片。本发明的硒化亚铜纳米片制备工艺简单新颖，制备时间短，成本低廉，稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米片 硒化亚铜 制备 铜基 快速生长 铜基材料 清洗烘干 去离子水 溶液转移 制备工艺 混合液 水合肼 裁剪 放入 硒粉 生长 | ||
【主权项】：
1.一种在室温下铜基上快速生长硒化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于：按照以下步骤完成：(1)、称取硒粉放入反应容器中，所述硒粉的质量为25mg～80mg；(2)、称量水合肼与去离子水，加入步骤(1)的反应容器中，所述水合肼与去离子水的体积比为1:1至1:5；(3)、将步骤(2)中得到的反应容器放入超声波设备或搅拌设备中，10～20分钟后取出；(4)、裁剪面积为1～8cm2的铜基材料，用去离子水、无水乙醇超声洗涤15～30分钟，备用；(5)、用浓度为1～3mol/L的稀盐酸浸泡步骤(4)所得铜基材料5～20分钟，取出并用去离子水清洗干净，置入步骤(3)的反应容器中；(6)、将步骤(5)所得反应容器在室温下放置1～10分钟；(7)、反应完毕后，将步骤(6)所得的产物从反应容器中取出，经清洗、干燥后，即得在铜基上生长的硒化亚铜纳米片。
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