[发明专利]制造半导体结构的方法

摘要

本公开实施例提供制造半导体结构的方法。此方法提供一基底。根据第一层掩模执行第一光刻，以在基底上方的一层的第一区域上形成具有第一间距的多个第一光子晶体。根据第二层掩模执行第二光刻，以在该层的第二区域上形成具有第二间距的多个第二光子晶体。提供光照射第一光子晶体和第二光子晶体。接收由第一光子晶体和第二光子晶体所反射或是穿透过第一光子晶体和第二光子晶体的光。分析所接收的光，以检测对应于第一层掩模的第一光子晶体和对应于第二层掩模的第二光子晶体之间的重叠位移。

主权项

1.一种制造半导体结构的方法，包括：提供一基底；根据一第一层掩模，执行一第一光刻，以在上述基底上方的一层的一第一区域上形成具有一第一间距的多个第一光子晶体；根据一第二层掩模，执行依第二光刻，以在上述层的一第二区域上形成具有一第二间距的多个第二光子晶体；提供光以照射上述第一光子晶体和上述第二光子晶体；接收由上述第一光子晶体和上述第二光子晶体所反射或是穿透过上述第一光子晶体和上述第二光子晶体的光；以及分析所接收的光，以检测对应于上述第一层掩模的上述第一光子晶体和对应于上述第二层掩模的上述第二光子晶体之间的一重叠位移。