[发明专利]一种低二次电子产额的Mo电极表面处理方法有效
| 申请号： | 201811314346.3 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN109585239B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王洁;王盛;高勇;许章炼;李帅鹏 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01J9/14 | 分类号： | H01J9/14 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种低二次电子产额的Mo电极表面处理方法，包括以下步骤：设定激光器的参数，然后采用激光器对Mo电极表面进行处理，其中，激光的功率范围为6‑20W，激光波长为532nm或者1064nm，激光扫描速率为1‑2000mms |
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| 搜索关键词： | 一种 二次电子 mo 电极 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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