[发明专利]一种晶体电路布局的静电防护结构有效
| 申请号： | 201811314433.9 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN109548269B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 罗进宇;许传停;张坤;冯杰 | 申请（专利权）人： | 晶晨半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体电路布局的静电防护结构，包括晶体焊接区及负载电容焊接区，负载电容焊接区包括第一负载电容焊接区和第二负载电容焊接区；第一负载电容焊接区的接地焊盘和第二负载电容焊接区的接地焊盘相邻设置。本发明的有益效果在于：一对负载电容焊接区的接地焊盘相邻设置来降低成本和提高静电的耐压量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 电路 布局 静电 防护 结构 | ||
【主权项】：
1.一种晶体电路布局的静电防护结构，其特征在于，包括晶体焊接区及负载电容焊接区，所述负载电容焊接区包括第一负载电容焊接区和第二负载电容焊接区；所述第一负载电容焊接区的接地焊盘和所述第二负载电容焊接区的接地焊盘相邻设置。
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