[发明专利]一种用于产生高密度等离子体的装置在审
| 申请号： | 201811314805.8 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN109518167A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 邹威;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 长沙创恒机械设备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市长沙经济技术*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提出一种用于产生高密度等离子体的装置，所述装置包括：等离子体发生室，其内设置有等离子体源；衬底处理室，与所述等离子体原成轴向关系；第一线圈，围绕所述等离子体发生室的一部分；第二线圈，围绕所述第一线圈的一部分，且所述第一线圈与所述第二线圈共面；固定件，用于将所述第一线圈和所述第二线圈保持在相对彼此固定的位置，以防止所述第一线圈和所述第二线圈相对运动；电路组件，用于调节所述第一线圈和所述第二线圈中的相对电流量。采用本发明的方法有利地在衬底处理室中形成磁场能够实现对等离子体均匀处理，从而实现对衬底均匀的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 等离子体发生室 高密度等离子体 衬底处理室 等离子体源 电路组件 均匀处理 电流量 固定的 固定件 衬底 轴向 磁场 | ||
【主权项】：
1.一种用于产生高密度等离子体的装置，其特征在于，所述装置包括：等离子体发生室，其内设置有等离子体源；衬底处理室，与所述等离子体源成轴向关系；第一线圈，围绕所述等离子体发生室的一部分；第二线圈，围绕所述第一线圈的一部分，且所述第一线圈与所述第二线圈共面；固定件，用于将所述第一线圈和所述第二线圈保持在相对彼此固定的位置，以防止所述第一线圈和所述第二线圈相对运动；电路组件，用于调节所述第一线圈和所述第二线圈中的相对电流量。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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