[发明专利]一种NiPS3有效

专利信息
申请号: 201811315224.6 申请日: 2018-11-06
公开(公告)号: CN109052495B 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 苏陈良;李鑫哲;方漪芸;李瑛 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: C01G53/00 分类号: C01G53/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 代理人: 曾敬
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及制备一种纳米片,具体涉及一种NiPS3纳米片及其制备方法。本发明的NiPS3纳米片为超薄的具有完整原子结构的二维NiPS3纳米片。本发明的制备方法是通过电化学法插层体相NiPS3晶体制备NiPS3纳米片;该方法特点是在双电极体系中,以体相NiPS3晶体为阴极和以铂电极为阳极,以N,N二甲基甲酰胺(或二甲基亚砜)为溶剂,以四烷基四氟硼酸铵为电解质,以‑2V至‑10V为外加电压;本发明的方法可以快速、低成本的制备具有大尺寸、超薄以及完整原子结构的二维NiPS3纳米片。
搜索关键词: 一种 nips base sub
【主权项】:
1.一种NiPS3纳米片,所述纳米片为二维超薄NiPS3纳米片,其厚度的数值范围在1nm‑10nm,单层的厚度范围为0.6nm–1.1nm。
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