[发明专利]晶圆加工方法和半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201811315385.5 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN109616414A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 贺冠中 | 申请（专利权）人： | 深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种晶圆加工方法和半导体器件的制备方法。该晶圆加工方法包括如下步骤：提供碳化硅晶圆；所述碳化硅晶圆表面形成有多个管芯，相邻两管芯之间由划片道隔开；在所述碳化硅晶圆上涂布聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺层覆盖所述多个管芯和划片道；用光掩膜对所述聚酰亚胺层进行光刻处理，得到聚酰亚胺图案层；其中，所述聚酰亚胺图案层由相互隔开的第一聚酰亚胺材料图案和第二聚酰亚胺材料图案组成，所述第一聚酰亚胺材料图案包裹住所述管芯的边缘并延伸至所述划片道上，所述第二聚酰亚胺材料图案位于所述划片道上；以及沿所述划片道上进行切割处理。 | ||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺材料 管芯 聚酰亚胺层 碳化硅 划片 图案 聚酰亚胺图案 半导体器件 晶圆加工 划片道 隔开 晶圆 制备 半导体器件技术 光刻处理 晶圆表面 光掩膜 种晶 切割 延伸 覆盖 加工 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括如下步骤：提供碳化硅晶圆；所述碳化硅晶圆表面形成有多个管芯，相邻两管芯之间由划片道隔开；在所述碳化硅晶圆上涂布聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺层覆盖所述多个管芯和划片道；用光掩膜对所述聚酰亚胺层进行光刻处理，得到聚酰亚胺图案层；其中，所述聚酰亚胺图案层由相互隔开的第一聚酰亚胺材料图案和第二聚酰亚胺材料图案组成，所述第一聚酰亚胺材料图案包裹住所述管芯的边缘并延伸至所述划片道上，所述第二聚酰亚胺材料图案位于所述划片道上；以及沿所述划片道上进行切割处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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