[发明专利]一种方西瓜栽培方法

摘要

本发明公开了一种方西瓜栽培方法，属于瓜果栽培技术领域，包括如下步骤：整地施肥，浸种催芽，南瓜、西瓜育苗，嫁接，苗期管理，整枝压蔓、授粉，留瓜及上模具，采收西瓜。本发明通过嫁接换根提高西瓜的耐低温能力，增强生长活力，有利于西瓜的早春栽培，早进市场，增加竞争力，得到的西瓜的品质优良、易于运输，方便切开，还具有欣赏价值，采用标记分批次采收西瓜，降低了了人为判断生熟的失误，使采收的西瓜更加适合人们食用。

主权项

1.一种方西瓜栽培方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)整地施肥：选择灌溉方便的壤土或沙壤土作为栽培地，随耕翻施基肥，耕翻深度为15‑20cm，每亩施腐熟农家肥1500‑2000kg、含钾不少于15％的复合肥30‑40kg、50％的多菌灵可湿性粉剂200g、和硫酸锌1‑1.5kg，整地做畦，畦宽2.5‑3m，畦高20‑25cm，沟宽35‑40cm，并构建大棚；(2)浸种催芽：剔除畸形杂籽、瘪籽的南瓜或西瓜种子，倒入60‑70℃温水中浸泡，不断搅动直至水温降至室温，停止搅动，继续浸泡3‑5h，然后用湿纱布包裹好，于25‑30℃下催芽，早晚用清水清洗一次，待50％‑60％种子露白后即可播种；(3)南瓜育苗：采用穴播方式，每穴播种2粒种子，行距60‑70cm，株距40‑50cm，覆土后浇足水，并覆盖地膜，苗期白天温度保持在25‑28℃，夜间15‑18℃，当60％种子出苗后撤去地膜；(4)西瓜育苗：采用撒播方式，播种前给苗床浇足底水，每亩用种量300‑350g，播种后在苗床上撒一层1‑2cm后的细土，并覆盖地膜，苗期白天温度保持在25‑28℃，夜间18‑22℃，当75％种子出苗后撤去地膜；(5)嫁接：选取具有一叶一心的西瓜苗作为接穗，具有两叶一心的南瓜苗作为砧木，嫁接时将砧木苗心摘除，并用竹签在摘除的苗心处向下插出深2cm、宽1cm的插孔，再将接穗用嫁接刀沿长径端部向下45度切出宽度1cm的斜向切口，将接穗切口对准插孔插入砧木中，最后用无菌塑料薄膜缠绕嫁接处；(6)苗期管理：嫁接后3天内保持大棚内湿度在90‑95％，白天温度在25‑28℃，夜间在15‑18℃，1周后开始放风炼苗，待接穗发芽后将接穗根部断去，并分批将其上部的薄膜划开，让芽眼露出，及时抹除砧芽，待气温回暖后解除薄膜，当接芽发出5‑7叶时摘心，育苗期间适时追肥，以氮肥为主，辅施磷、钾肥；(7)整枝压蔓、授粉；(8)留瓜及上模具，模具为大小可调节的方形玻璃模具；(9)西瓜采收：及时采收成熟的西瓜，采收时在瓜柄上端留5cm枝蔓。