[发明专利]避免OVP误触发的DIM调光电路在审

专利信息
申请号: 201811319192.7 申请日: 2018-11-07
公开(公告)号: CN109195274A 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 吴建良;顾南昌;吴洁 申请(专利权)人: 无锡恒芯微科技有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08
代理公司: 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 代理人: 王闯;葛莉华
地址: 214000 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种避免OVP误触发的DIM调光电路,通过增大退磁时间,使LED的电流变小,实现模拟调光功能的同时,保持ISEN采样电压不变,则IL的峰值电流就不变,这样就可以做到OVP功能不受影响。该避免OVP误触发的DIM调光电路具有设计科学、实用性强、结构简单、稳定性强的优点。
搜索关键词: 调光电路 误触发 采样电压 峰值电流 模拟调光 稳定性强 电流变 退磁
【主权项】:
1.一种避免OVP误触发的DIM调光电路,其特征在于:线性电压转换电路的输入端和DIM控制模块的输入端分别接收DIM调光信号,DIM控制模块输出CON信号和SD信号,线性电压转换电路的输出端连接运放U2的同相输入端,运放U2的输出端连接MOS管N5的栅极,MOS管N5的源极通过电阻R2接地,运放U2的反相输入端连接MOS管N5的源极,MOS管N5的漏极连接MOS管P5的漏极,MOS管P5的源极和MOS管P6的源极分别连接电源VCC,MOS管P5的栅极和MOS管P6的栅极分别连接MOS管N5的漏极,MOS管P6的漏极分别连接MOS管N3的漏极、MOS管N3的栅极和MOS管N4的栅极,MOS管N3的源极和MOS管N4的源极分别接地,MOS管N4的漏极连接MOS管P4的漏极;运放U1的同相输入端连接基准电压VREF,运放U1的输出端连接MOS管N6的栅极,MOS管N6的源极通过电阻R1接地,运放U1的反相输入端连接MOS管N6的源极,MOS管N6的漏极连接MOS管P3的漏极,MOS管P3的源极、MOS管P4的源极和MOS管P2的源极分别连接电源VCC,MOS管P3的栅极、MOS管P4的栅极和MOS管P2的栅极分别连接MOS管N6的漏极,MOS管P4的漏极连接MOS管P1的源极,MOS管P2的源极还连接MOS管P1的源极,MOS管P2的漏极连接线性电压转换电路;芯片控制信号DRV分别控制连接MOS管P1的栅极、MOS管N1的栅极和或门U4的一个输入端,MOS管P1的漏极连接MOS管N1的漏极并通过施密特触发器SMT连接或门U4的另一个输入端,或门U4的输出端连接与门U5的一个输入端,SD信号输入与门U5的另一个输入端,与门U5的输出端连接与门U6的一个输入端,与门U6的输出端通过非门U7输出信号DIM_TOFF,退磁结束信号DM连接与门U6的另一个输入端并通过非门U3连接MOS管N2的栅极,MOS管N2的漏极连接施密特触发器SMT的输入端,MOS管N2的源极接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡恒芯微科技有限公司,未经无锡恒芯微科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811319192.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top