[发明专利]避免OVP误触发的DIM调光电路在审
申请号: | 201811319192.7 | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN109195274A | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 吴建良;顾南昌;吴洁 | 申请(专利权)人: | 无锡恒芯微科技有限公司 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 王闯;葛莉华 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种避免OVP误触发的DIM调光电路,通过增大退磁时间,使LED的电流变小,实现模拟调光功能的同时,保持ISEN采样电压不变,则IL的峰值电流就不变,这样就可以做到OVP功能不受影响。该避免OVP误触发的DIM调光电路具有设计科学、实用性强、结构简单、稳定性强的优点。 | ||
搜索关键词: | 调光电路 误触发 采样电压 峰值电流 模拟调光 稳定性强 电流变 退磁 | ||
【主权项】:
1.一种避免OVP误触发的DIM调光电路,其特征在于:线性电压转换电路的输入端和DIM控制模块的输入端分别接收DIM调光信号,DIM控制模块输出CON信号和SD信号,线性电压转换电路的输出端连接运放U2的同相输入端,运放U2的输出端连接MOS管N5的栅极,MOS管N5的源极通过电阻R2接地,运放U2的反相输入端连接MOS管N5的源极,MOS管N5的漏极连接MOS管P5的漏极,MOS管P5的源极和MOS管P6的源极分别连接电源VCC,MOS管P5的栅极和MOS管P6的栅极分别连接MOS管N5的漏极,MOS管P6的漏极分别连接MOS管N3的漏极、MOS管N3的栅极和MOS管N4的栅极,MOS管N3的源极和MOS管N4的源极分别接地,MOS管N4的漏极连接MOS管P4的漏极;运放U1的同相输入端连接基准电压VREF,运放U1的输出端连接MOS管N6的栅极,MOS管N6的源极通过电阻R1接地,运放U1的反相输入端连接MOS管N6的源极,MOS管N6的漏极连接MOS管P3的漏极,MOS管P3的源极、MOS管P4的源极和MOS管P2的源极分别连接电源VCC,MOS管P3的栅极、MOS管P4的栅极和MOS管P2的栅极分别连接MOS管N6的漏极,MOS管P4的漏极连接MOS管P1的源极,MOS管P2的源极还连接MOS管P1的源极,MOS管P2的漏极连接线性电压转换电路;芯片控制信号DRV分别控制连接MOS管P1的栅极、MOS管N1的栅极和或门U4的一个输入端,MOS管P1的漏极连接MOS管N1的漏极并通过施密特触发器SMT连接或门U4的另一个输入端,或门U4的输出端连接与门U5的一个输入端,SD信号输入与门U5的另一个输入端,与门U5的输出端连接与门U6的一个输入端,与门U6的输出端通过非门U7输出信号DIM_TOFF,退磁结束信号DM连接与门U6的另一个输入端并通过非门U3连接MOS管N2的栅极,MOS管N2的漏极连接施密特触发器SMT的输入端,MOS管N2的源极接地。
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