[发明专利]含有g-C3 在审
| 申请号： | 201811319548.7 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN111155138A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 邹吉军;潘伦;祁洁;张香文;王莅 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25B1/04 | 分类号： | C25B1/04;C25B11/04 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了复合电极及其制备方法。其中，复合电极包括：导电基体；活性材料层，所述活性材料层形成在所述导电基体的至少一部分表面上，且所述活性材料包括掺杂有金属元素的钒酸铋，所述金属元素的价态高于所述钒酸铋中钒元素的价态；助剂层，所述助剂层形成在活性材料层远离所述导电基体的表面上，且形成所述助剂层的材料包括氮化碳。发明人发现，钒酸铋中的光生电子和空穴分离效率较高，该复合电极适用于光阳极。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 base sub | ||
【主权项】：
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