[发明专利]光刻方法在审
申请号: | 201811319888.X | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN109411336A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 鲁旭斋;张锋;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 杨楷;毛立群 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种光刻方法,能够利用简单的工艺过程,解决光刻胶与介质层酸碱不平衡时的底部站脚问题,该方法具体包括以下步骤:提供衬底;在衬底之上形成介质层,介质层表面具有碱性基团;进行对介质层的紫外固化,以至少部分去除碱性基团;在进行对介质层的紫外固化之后,在介质层上涂敷光刻胶。利用紫外固化工艺对介质层进行处理,能够有效降低介质层表面的碱性基团浓度,解决光刻胶与介质层酸碱不平衡的问题,此外,紫外固化工艺简单方便,无需增加额外的沉积刻蚀步骤,大大降低了制造工艺的复杂程度和成本;再者,紫外固化工艺在调节介质层表面特性的同时,还能够降低介质层杂质含量,提高介质材料的纯度,提升器件性能。 | ||
搜索关键词: | 介质层 紫外固化 介质层表面 碱性基团 光刻胶 衬底 光刻 酸碱 工艺过程 介质材料 刻蚀步骤 提升器件 制造工艺 涂敷 站脚 沉积 去除 | ||
【主权项】:
1.一种光刻方法,其特征在于,包括以下步骤:提供衬底;在所述衬底之上形成介质层,所述介质层表面具有碱性基团;进行对所述介质层的紫外固化,以至少部分去除所述碱性基团;在进行对所述介质层的紫外固化之后,在所述介质层上涂敷光刻胶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811319888.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种像素结构及其制作方法
- 下一篇:半导体器件及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造