[发明专利]基于硅基锗光电探测器的光电探测方法和系统及设备有效
申请号: | 201811319994.8 | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN109616532B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 崔积适;刘持标;邱锦明;陈洪敏 | 申请(专利权)人: | 三明学院 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/103 |
代理公司: | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人: | 杨玉芳 |
地址: | 365000 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于硅基锗光电探测器的光电探测方法和系统及设备。其中,所述硅基锗光电探测器包括光波导层、硅氧化层、锗氧化层、第一电极、第二电极、第三电极,该第一电极与该第二电极之间形成的电场用于对第一耦合区域的其中一束光进行耦合,该第三电极与该第二电极之间形成的电场用于对第二耦合区域的其中另一束光进行耦合,使该两束光经分别耦合后呈现出强弱相互叠加的态势。通过上述方式,能够实现硅基锗光电探测器能对入射光经功率分束后的两束光进行耦合,使该两束光经分别耦合后呈现出强弱相互叠加的态势,从而使硅基锗光电探测器中的光场分布更加均匀,提高硅基锗光电探测器的带宽、饱和特征以及可靠性。 | ||
搜索关键词: | 基于 硅基锗 光电 探测器 探测 方法 系统 设备 | ||
【主权项】:
1.一种硅基锗光电探测器,其特征在于,包括:光波导层、硅氧化层、锗氧化层、第一电极、第二电极、第三电极;所述硅氧化层包括第一部分硅氧化层和第二部分硅氧化层,所述第二部分硅氧化层设置于所述光波导层之上,所述第一部分硅氧化层由所述第二部分硅氧化层向外延伸,所述锗氧化层设置于所述第二部分硅氧化层之上,所述第二电极设置于所述锗氧化层之上,所述第一电极和所述第三电极设置于所述光波导层之上,所述第一电极与所述第二电极平行且间隔设置,所述第三电极与所述第二电极平行且间隔设置,所述第一电极和所述第三电极分别设置于所述第二电极两侧;所述第一电极与所述第二电极之间的间隔区域形成第一耦合区域,所述第三电极与所述第二电极之间的间隔区域形成第二耦合区域;所述光波导层,用于接收经过第一部分硅氧化层的两束光的光信号并对所述两束光的光信号的传播方向进行引导,将其中一束光的传播方向引导至所述第一耦合区域,将其中另一束光的传播方向引导至所述第二耦合区域;其中,所述两束光为对入射光经功率分束后的两束光;所述第一电极与所述第二电极之间形成的电场用于对所述第一耦合区域的其中一束光进行耦合,所述第三电极与所述第二电极之间形成的电场用于对所述第二耦合区域的其中另一束光进行耦合,使所述两束光经分别耦合后呈现出强弱相互叠加的态势。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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