[发明专利]隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201811320069.7 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109560128B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 施敏;柯亚威;张威;朱友华 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417;H01L29/47 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 226019*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种隧穿场效应晶体管，包括连接于栅电极、源电极和漏电极之间的：源区、沟道区和漏区，源区和所述漏区之间被沟道区隔离开，源电极为欧姆接触电极并与源区形成欧姆接触，漏电极为欧姆接触电极并与漏区形成欧姆接触；其中，晶体管还包括浮空设置的金属材料的第一肖特基电极，所述第一肖特基电极与所述源区形成肖特基接触，且所述第一肖特基电极设置于靠近所述源区和沟道区之间的接触面的位置，本发明在传统的TFET器件基础上设计由肖特基电极和源电极构成的新型源电极结构，其中的高功函数金属材料的浮空肖特基接触电极，可以有效地抬升肖特基接触电极下的能带，增大源区价带和沟道区导带之间的能带重叠区，减小隧穿距离，提高开态电流。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括连接于栅电极、源电极和漏电极之间的：源区、沟道区和漏区，所述源区和所述漏区之间被所述沟道区隔离开，所述源电极为欧姆接触电极并与源区形成欧姆接触，漏电极为欧姆接触电极并与漏区形成欧姆接触；其中，所述晶体管还包括浮空设置的金属材料的第一肖特基电极，所述第一肖特基电极与所述源区形成肖特基接触，且所述第一肖特基电极设置于靠近所述源区和沟道区之间的接触面的位置。
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