[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201811320109.8 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN110444605A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 周洛龙;郑永均;朴正熙;李钟锡;千大焕 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 陈鹏;李静 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置可以包括设置在衬底的第一表面处的n‑型层；设置在n‑型层顶部处的p‑型区域和p+型区域；设置在p‑型区域和p+型区域上的第一电极；以及设置在衬底的第二表面处的第二电极，其中，第一电极包括设置在p‑型区域上的第一金属层和设置在第一金属层上的第二金属层，并且所述第一金属层与p‑型区域连续接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 第一金属层 第一电极 衬底 第二金属层 第二表面 第二电极 第一表面 连续接触 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：n‑型层，设置在衬底的第一表面处；p‑型区域和p+型区域，设置在所述n‑型层的顶部处；第一电极，设置在所述p‑型区域和所述p+型区域上；以及第二电极，设置在衬底的第二表面处，其中，所述第一电极包括设置在所述p‑型区域上的第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层，并且其中，所述第一金属层与所述p‑型区域连续接触。
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