[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，在该半导体器件中，仅在存储核心区设置有沟道孔，而在阶梯区设置有第一接触孔，该第一接触孔内填满金属，该第一接触孔的结构与沟道孔的结构不同，其内部不设置有外延结构以及存储器功能层，因此，能够避免阶梯区不均一的外延结构给半导体器件带来的不良影响，例如，与半导体器件内部的底部选择栅或虚字线发生短路，降低产品良率。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底之上的堆叠结构，所述堆叠结构由栅线层和层间介质层交替层叠形成，所述堆叠结构包括阶梯区和存储核心区；其中，所述存储核心区包括贯穿所述存储核心区的沟道孔，所述沟道孔的底部形成有自所述衬底外延生长的外延结构，所述沟道孔的内壁上形成有存储器功能层；所述阶梯区包括贯穿所述阶梯区的第一接触孔；所述第一接触孔与所述栅线层之间设置有绝缘侧墙。