[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板

摘要

本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板。所述阵列基板的制作方法先在衬底基板上形成透明导电薄膜和覆盖所述透明导电薄膜的金属薄膜，并通过一道光罩图案化所述透明导电薄膜和金属薄膜，形成由透明导电薄膜和金属薄膜形成的栅极和由透明导电薄膜形成的阵列基板公共电极，相比于现有技术，透明的阵列基板公共电极，能够提升像素开口率，改善显示效果，且栅极和阵列基板公共电极仍通过一道光罩制得，无需增加光罩数量，制作成本较低。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上形成透明导电薄膜(101)和覆盖所述透明导电薄膜(101)的金属薄膜(102)；步骤S2、在所述金属薄膜(102)上覆盖光阻薄膜(103)；步骤S3、对所述光阻薄膜(103)进行图案化，除去除待形成栅极和阵列基板公共电极(3)的区域以外的光阻薄膜(103)，得到位于待形成栅极的区域上的第一光阻段(104)及位于待形成阵列基板公共电极的区域上的第二光阻段(105)，且所述第一光阻段(104)的厚度大于第二光阻段(105)；步骤S4、以第一光阻段(104)和第二光阻段(105)为遮挡，对所述透明导电薄膜(101)和金属薄膜(102)进行蚀刻，除去除待形成栅极和阵列基板公共电极的区域以外的透明导电薄膜(101)和金属薄膜(102)；步骤S5、去除第二光阻段(105)同时减薄第一光阻段(104)，以剩余的第一光阻段(104)为遮挡对金属薄膜(102)进行蚀刻，去除待形成阵列基板公共电极的区域上金属薄膜(102)，得到阵列基板公共电极(3)；步骤S6、去除剩余的第一光阻段(104)，得到栅极(2)；步骤S7、在所述衬底基板(1)、栅极(2)及阵列基板公共电极(3)上形成栅极绝缘层(4)，在所述栅极(2)上的栅极绝缘层(4)上形成有源层(5)，在所述有源层(5)上形成分别位于所述有源层(5)的两端的源极(6)和漏极(7)，在所述栅极绝缘层(4)、有源层(5)、源极(6)和漏极(7)上形成钝化层(8)，并在所述钝化层(8)上形成像素电极(9)。