[发明专利]用于解决电迁移的布局构造有效
| 申请号： | 201811322947.9 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109148400B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | S·H·拉苏里;A·达塔;O·翁 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L27/02;H01L27/092;H03K17/16;H03K17/687;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于解决电迁移的布局构造。一互连层面上的第一互连将CMOS器件的第一PMOS漏极子集连接在一起。该互连层面上的第二互连将第二PMOS漏极子集连接在一起。第二PMOS漏极子集不同于第一PMOS漏极子集。第一互连和第二互连在该互连层面上断开。该互连层面上的第三互连将CMOS器件的第一NMOS漏极子集连接在一起。该互连层面上的第四互连将第二NMOS漏极子集连接在一起。第二NMOS漏极子集不同于第一NMOS漏极子集。第三互连和第四互连在该互连层面上断开。第一、第二、第三和第四互连通过至少一个其它互连层面耦合在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 解决 迁移 布局 构造 | ||
【主权项】：
1.一种互补金属氧化物半导体CMOS器件，包括各自具有p型金属氧化物半导体PMOS漏极和PMOS栅极的多个PMOS晶体管以及各自具有n型金属氧化物半导体NMOS漏极和NMOS栅极的多个NMOS晶体管，每个PMOS栅极和NMOS栅极在第一方向延伸，所述CMOS器件包括：将第一多个PMOS漏极连接在一起的互连层面上的第一互连，所述第一互连在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；所述互连层面上的将第二多个PMOS漏极连接在一起的第二互连，所述第二多个PMOS漏极不同于所述第一多个PMOS漏极，所述第一互连和所述第二互连在所述互连层面上断开连接，所述第二互连在所述第二方向上延伸；在所述互连层面上将第一多个NMOS漏极连接在一起的第三互连，所述第三互连在所述第二方向上延伸；以及在所述互连层面上将第二多个NMOS漏极连接在一起的第四互连，所述第四互连在所述第二方向上延伸；所述第二多个NMOS漏极不同于所述第一多个NMOS漏极，所述第三互连和所述第四互连在所述互连层面上断开；其中在所述互连层面上，所述第一互连将所述第一多个PMOS漏极耦合在一起，而所述第二互连将所述第二多个PMOS漏极耦合在一起；并且将所述第一多个NMOS漏极耦合在一起的所述第三互连和将所述第二多个NMOS漏极耦合在一起的所述第四互连通过至少一个其它互连层面被耦合在一起。
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