[发明专利]小直径晶片的制造方法在审
| 申请号： | 201811323040.4 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109786325A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 堀田秀儿;松崎荣;伊藤祝子;有福法久;冷雪青;川合章仁;小笠原舞 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供新的小直径晶片的制造方法，能够提高生产率，同时也能够抑制品质的降低。该小直径晶片的制造方法包含如下的工序：保护部件包覆工序，在具有一个面和另一个面并且一个面被加工成镜面的晶片的一个面上包覆第1保护部件，在晶片的另一个面上包覆第2保护部件；切出工序，从包覆有第1保护部件和第2保护部件的晶片切出多个小直径晶片；倒角工序，对小直径晶片的外周部进行倒角；以及保护部件去除工序，将第1保护部件和第2保护部件从小直径晶片去除。 | ||
| 搜索关键词： | 保护部件 小直径晶片 包覆 晶片 切出 去除 制造 包覆工序 倒角工序 直径晶片 外周部 成镜 倒角 面被 加工 | ||
【主权项】：
1.一种小直径晶片的制造方法，其特征在于，该小直径晶片的制造方法包含如下的工序：保护部件包覆工序，在具有一个面和另一个面并且该一个面被加工成镜面的晶片的该一个面上包覆第1保护部件，在该晶片的该另一个面上包覆第2保护部件；切出工序，从包覆有该第1保护部件和该第2保护部件的该晶片切出多个小直径晶片；倒角工序，对该小直径晶片的外周部进行倒角；以及保护部件去除工序，将该第1保护部件和该第2保护部件从该小直径晶片去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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