[发明专利]MOS管阈值电压的WAT测试方法有效
申请号: | 201811323081.3 | 申请日: | 2018-11-08 |
公开(公告)号: | CN109507560B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 肖尚刚;莫保章 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 栾美洁 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种MOS管阈值电压的WAT测试方法,其中,将一片晶圆划分为多个测试单元;对第一个测试单元内的MOS管进行阈值电压测试时,栅极电压从指定的起始电压开始扫描,从第二个测试单元开始,相同MOS管测试时栅极的起始扫描电压采用上一个测试单元中相同MOS管测试的阈值电压,直至所有测试单元完成测试。本发明将每个测试单元间相同MOS管的阈值电压Vt测试联系起来,前一个测试单元MOS管的阈值电压Vt作为后一个测试单元中相同MOS管栅极的起始扫描电压,这样可以快速定位到被测试MOS管的阈值电压Vt,避免重复的栅极电压扫描,从而大量节约阈值电压Vt的测试时间,提升测试效率WPH,实现WAT测试产能的提升。 | ||
搜索关键词: | mos 阈值 电压 wat 测试 方法 | ||
【主权项】:
1.一种MOS管阈值电压的WAT测试方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1,将一片晶圆划分为N个测试单元,N为自然数且N≥2;步骤S2,对第一个测试单元的n个MOS管的阈值电压依次进行测试,n为自然数且n≥1,所测试MOS管的漏端施加设定电压,源端和基体接0V,栅极从指定的起始扫描电压开始并按设定的步进电压进行扫描,每一步扫描都测试漏端电流,如果漏端电流未达到设定的目标值而栅极电压已大于设定的最大电压,则所测试MOS管的阈值电压为ERROR,如果漏端电流达到设定的目标电流值,栅极电压即为所测试MOS管的阈值电压;步骤S3,对下一个测试单元的所有MOS管的阈值电压依次进行测试,所测试MOS管的漏端施加设定电压,源端和基体接0V,栅极采用前一个测试单元中相同MOS管的阈值电压为起始扫描电压并按设定的步进电压进行扫描,每一步扫描都测试漏端电流,如果漏端电流未达到设定的目标值而栅极电压已大于设定的最大电压,则所测试MOS管的阈值电压为ERROR,如果漏端电流达到设定的目标电流值,栅极电压即为所测试MOS管的阈值电压;步骤S4,重复步骤S3,直至所有测试单元的MOS管阈值电压的WAT测试结束。
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