[发明专利]采用PMOS反熔断机制的一次可编程存储单元

摘要

本发明公开了一种采用PMOS反熔断机制的一次可编程存储单元，包括形成于衬底上的反熔断单元和选择晶体管；反熔断单元包括编程栅极、编程栅极绝缘介电层及位于编程栅极的相对两侧的衬底中的第二掺杂区和浅沟槽隔离结构；编程栅极绝缘介电层下方的衬底中形成有第一掺杂区；编程栅极、编程栅极绝缘介电层与第二掺杂区构成一电容器；选择晶体管包括选择栅极、选择栅极绝缘介电层及位于选择栅极的相对两侧的衬底中的第二掺杂区和第三掺杂区，第二掺杂区和第三掺杂区均为P型掺杂。本发明的存储单元结合PMOS工艺实现，存储特性在编程前后体现出不同的高低阻态，从而形成所需的存储基本功能，扩展了存储器件类型，可以满足一次性可编程存储器产品的应用需求。

主权项

1.一种采用PMOS反熔断机制的一次可编程存储单元，其特征在于，包括反熔断单元和选择晶体管，所述反熔断单元和选择晶体管均形成于衬底上，所述衬底中形成有绝缘层和N型深掺杂阱区，所述绝缘层位于N型深掺杂阱区上；所述反熔断单元包括编程栅极和编程栅极绝缘介电层，所述编程栅极形成于所述衬底上，所述编程栅极绝缘介电层形成于所述编程栅极和所述衬底之间且编程栅极绝缘介电层下方的衬底中形成有一第一掺杂区，所述编程栅极的相对两侧的衬底中形成有一第二掺杂区和一浅沟槽隔离结构；所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均位于所述绝缘层上方；所述编程栅极、所述编程栅极绝缘介电层与所述第二掺杂区构成一等效电容器；所述选择晶体管包括选择栅极和选择栅极绝缘介电层，所述选择栅极形成于所述衬底上，所述选择栅极绝缘介电层形成于所述选择栅极和所述衬底之间且选择栅极绝缘介电层下方的衬底中形成有N型掺杂阱区，所述选择栅极的相对两侧的衬底中形成有所述第二掺杂区和一第三掺杂区，所述第三掺杂区和所述N型掺杂阱区均位于所述绝缘层上方，所述选择晶体管和所述反熔断单元共用第二掺杂区，且所述第三掺杂区和第二掺杂区均为P型掺杂，所述N型掺杂阱区和第三掺杂区及第二掺杂区之间的组合形成一个PMOS器件。