[发明专利]晶圆薄膜量测方法及装置在审
| 申请号： | 201811323885.3 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110718478A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李贤铭;陈国庆 | 申请（专利权）人： | 万润科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 闻卿 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆薄膜量测方法及装置，该晶圆薄膜量测方法包括以下步骤：以一量测装置对一个薄膜厚度已知的晶圆成品的标准品进行光学量测，取得一第一光学数据；以该量测装置对一晶圆待测品执行量测，以取得一第二光学数据；将该第二光学数据导入依该第一光学数据所建立的参数模型，以取得该晶圆待测品的薄膜厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 光学数据 量测 薄膜 量测装置 待测品 晶圆 参数模型 晶圆薄膜 晶圆成品 标准品 光学量 种晶 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆薄膜量测方法，包括以下步骤：/n一光学量测步骤，使一量测装置发射一入射光至一标准品的一量测位置，并接收由该量测位置所反射的反射光的一第一光学数据，该标准品为一个薄膜厚度已知的晶圆成品；/n一参数建立步骤，使该量测装置由该反射光的该第一光学数据，参照该已知的薄膜厚度建立参数模型；/n一膜厚运算步骤，使该量测装置对一与该标准品具有相同工艺的待测品进行量测，并将量测到的一第二光学数据导入该参数模型中，以运算该待测品的薄膜厚度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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