[发明专利]一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件及其方法在审
| 申请号： | 201811323932.4 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109270476A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 魏榕山;杜宇轩;刘莉莉 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07;G01R33/02 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市闽*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：所述霍尔器件为完全对称的两个十字结构的深N阱；所述十字结构的深N阱的四个端和中心分别设置有重掺杂的N+区层，所述四个端点重掺杂的N+区层与中心重掺杂的N+区层之间均设置有高掺杂的P+区层。本发明采用高压CMOS工艺制备，具备了较深的N阱，提高了器件的灵敏度，在时序的控制下，可分时对三个轴向上的磁感应强度进行侦测，相比于分立式的三维霍尔器件，大大减小了版图面积。 | ||
| 搜索关键词： | 霍尔器件 重掺杂 三维 霍尔传感器 十字结构 深N阱 时序 高压CMOS 工艺制备 灵敏度 磁感应 高掺杂 可分时 减小 侦测 应用 对称 | ||
【主权项】：
1.一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：所述霍尔器件为完全对称的两个十字结构的深N阱；所述十字结构的深N阱的四个端和中心分别设置有重掺杂的N+区层，所述四个端点重掺杂的N+区层与中心重掺杂的N+区层之间均设置有高掺杂的P+区层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学，未经福州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811323932.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高速磁浮长定子牵引行波磁场检测系统
- 下一篇：电磁铁反应时间测试装置及其方法
