[发明专利]一种二硫化物单晶及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201811324860.5 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109183156A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 郑建邦;朱美洁;赵耀华;冯晴亮 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种二硫化物单晶及其制备方法和用途，所述制备方法包括：(1)在中部具有加热装置的管式炉中，沿气流的方向，分别在距离管式炉进气端距离占管式炉总长度的25～35％处和45～55％处放置硫族单质源和混有氯化钠的过渡金属氧化物源；所述过渡金属氧化物源的上方放置有生长基底；(2)向所述管式炉中通入保护性气体，然后将管式炉升温至化学气相沉积的温度进行化学气相沉积。通过所述方法得到高结晶质量、超大晶畴尺寸的二硫化物单晶。所述二硫化物单晶应用于纳米器件、光学器件和片上激光器中的任意一种或至少两种组合。 | ||
| 搜索关键词： | 管式炉 二硫化物 单晶 制备 过渡金属氧化物 化学气相沉积 氯化钠 保护性气体 光学器件 加热装置 纳米器件 上激光器 高结晶 进气端 生长基 单质 晶畴 硫族 应用 | ||
【主权项】：
1.一种二硫化物单晶的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)在中部具有加热装置的管式炉中，沿气流的方向，分别放置硫族单质源和过渡金属氧化物源；所述过渡金属氧化物源的上方放置有生长基底；所述过渡金属氧化物源中混有氯化钠；(2)向所述管式炉中通入保护性气体，然后将管式炉升温至化学气相沉积的温度进行沉积生长；在所述管式炉中，硫族单质源与管式炉进气端的距离占管式炉总长度的25～35％，过渡金属氧化物源与管式炉进气端的距离占管式炉总长度45～55％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学，未经西北工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811324860.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
