[发明专利]一种半导体器件中栅极材料高度的监控方法有效
| 申请号： | 201811325528.0 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111162125B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 肖魁;方冬;卞铮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件中栅极材料高度的监控方法，所述方法包括:提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；在所述沟槽中填充栅极材料；量测所述栅极材料顶面两点之间的电阻；计算所述栅极材料的高度。根据本发明提供的半导体器件中栅极材料高度的监控方法，通过量测栅极材料顶面两点之间的电阻计算栅极材料的高度，从而在线监控栅极材料高度，该方法量测所需的面积小、应用范围广，且避免了硅晶圆的浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 栅极 材料 高度 监控 方法 | ||
【主权项】：
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