[发明专利]基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法有效
| 申请号： | 201811325924.3 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109585120B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 支钞;崔伟斌;唐彬;王月;屈明山;李严军;李寅鑫;王支荣;刘显学;余丙军;袁涛;曾德群 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01F13/00 | 分类号： | H01F13/00 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法，其步骤包括：1）制备磁印章和待刻印体，所述磁印章的永磁薄膜的居里温度高于待刻印体的永磁薄膜的居里温度；2）将制备好的磁印章的下表面与待刻印体的上表面进行贴合，然后进行加热，再逐渐退火，从而将磁印章的磁性转写到待刻印体上。相比于传统方法，本发明可以轻松实现磁化过程，而且适用于任何基板，大大扩大了适用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 印章 转写 技术 永磁体 磁化 方法 | ||
【主权项】：
1.基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法，其特征在于步骤如下：1）制备磁印章和待刻印体；其中，所述磁印章的永磁薄膜的居里温度高于待刻印体的永磁薄膜的居里温度；2）将制备好的磁印章与待刻印体进行贴合，即磁印章的永磁薄膜的下表面与待刻印体的永磁薄膜的上表面进行贴合，然后进行加热，加热温度升至待刻印体的永磁薄膜的居里温度，再逐渐退火，从而将磁印章的永磁薄膜上的磁性图案转写到待刻印体的永磁薄膜上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院电子工程研究所，未经中国工程物理研究院电子工程研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811325924.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多磁极充磁装置及充磁方法
- 下一篇：异向性磁瓦的导正结构及充磁装置
