[发明专利]存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201811328293.0 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110957327B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 叶腾豪;吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578;H01L27/11551 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器装置，包括通过数个绝缘条带所隔离的一导电条带叠层，此导电条带叠层中的导电条带在一第一方向上延伸。存储器装置包括多个半圆柱形垂直通道结构，延伸通过此导电条带叠层中的导电条带，各半圆柱形垂直通道结构具有一分割的椭圆形截面，其具有相对于第一方向呈倾斜的一主轴。存储器装置包括位于导电条带的侧壁上的数据储存结构。半圆柱形垂直通道结构包括半导体薄膜，这些半导体薄膜具有数个外表面，其与导电条带的侧壁上的数据储存结构接触。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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