[发明专利]金属氮氧化物薄膜及金属氮氧化物薄膜的制造方法、以及电容元件有效
| 申请号： | 201811329269.9 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109767915B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 山﨑久美子;永峰佑起;芝原豪;梅田裕二;山﨑纯一 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/33 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种具有钙钛矿结构的金属氮氧化物薄膜，其中，所述金属氮氧化物薄膜具有以组成式A |
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| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜 制造 方法 以及 电容 元件 | ||
【主权项】：
1.一种金属氮氧化物薄膜，其特征在于，所述金属氮氧化物薄膜具有钙钛矿结构，所述金属氮氧化物薄膜具有以组成式A1+αBOx+αNy表示的组成，α大于0且为0.300以下，x+α大于2.450，y为0.300以上且0.700以下，是平行于与所述钙钛矿结构的c轴垂直的面的层状结构，并且具备具有以通式AO表示的组成的AO结构，所述AO结构与所述钙钛矿结构结合而进入所述钙钛矿结构中。
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