[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201811329444.4 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109801970B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 金辰昱;金柱然 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：衬底，其包括第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；在第一区域上的第一栅极结构；在第二区域上的第二栅极结构；在第三区域上的第三栅极结构；以及在第四区域上的第四栅极结构。第一栅极结构包括第一栅极绝缘层、第一材料层和第一栅电极层。第二栅极结构包括第二栅极绝缘层、第二材料层和第二栅电极层。第三栅极结构包括第三栅极绝缘层、第三材料层和第三栅电极层。第四栅极结构包括第四栅极绝缘层和第四栅电极层。第一材料层、第二材料层和第三材料层具有不同的厚度。第一材料层包括下金属层、上金属层、以及其间的多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，其包括第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；在所述第一区域上的第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅极绝缘层、具有第一厚度的第一材料层、以及第一栅电极层；在所述第二区域上的第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二栅极绝缘层、具有第二厚度的第二材料层、以及第二栅电极层；在所述第三区域上的第三栅极结构，所述第三栅极结构包括第三栅极绝缘层、具有第三厚度的第三材料层、以及第三栅电极层；以及在所述第四区域上的第四栅极结构，所述第四栅极结构包括第四栅极绝缘层和第四栅电极层，其中所述第一厚度、所述第二厚度和所述第三厚度彼此不同，以及其中所述第一材料层包括下金属层、上金属层以及在所述下金属层与所述上金属层之间的多晶硅层。
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