[发明专利]半导体器件的形成方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201811331736.1 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109545674B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王剑屏 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L27/11529;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件的形成方法及半导体器件。所述半导体器件的形成方法包括如下步骤：提供一衬底；形成掩膜层于所述衬底表面，所述掩膜层中具有一开口，所述开口具有第一宽度；沿所述开口注入第一类型离子至所述衬底，形成第一阱区；调整所述开口的大小，使得所述开口具有不同于所述第一宽度的第二宽度；沿调整后的所述开口注入第二类型离子至所述衬底，形成在沿垂直于所述衬底的方向与所述第一阱区相互叠置的第二阱区。本发明在简化半导体器件形成工艺、降低半导体器件制造成本的同时，改善了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；形成掩膜层于所述衬底表面，所述掩膜层中具有一开口，所述开口具有第一宽度；沿所述开口注入第一类型离子至所述衬底，形成第一阱区；调整所述开口的大小，使得所述开口具有不同于所述第一宽度的第二宽度；沿调整后的所述开口注入第二类型离子至所述衬底，形成在沿垂直于所述衬底的方向与所述第一阱区相互叠置的第二阱区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
