[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于发光二极管制造领域。将多个生长有AlN层的衬底摆放至MOCVD设备内分布在多个同心圆上的圆形凹槽内，控制AlN层上生长的GaN成核层的厚度随同心圆的直径的增大而减小。随同心圆的直径的增大，GaN成核层的厚度逐渐减小，圆形凹槽内的GaN成核层的的表面会由朝向圆心凹槽底面凹陷的状态变化至背离圆心凹槽底面向上凸起的状态，这种变化趋势与衬底表面出现的翘曲的变化趋势相反，因此GaN成核层的表面均较为完整，GaN成核层的表面翘曲与衬底表面的翘曲相互抵消，传递到InGaN/GaN多量子阱层的热量较为均匀，提高了InGaN/GaN多量子阱层发光波长的均匀性，进而可提高同批次得到的外延片的发光合格率。

主权项

1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供多个衬底；通过物理气相沉积PVD在所述衬底上沉积AlN层；将所述多个衬底放置在金属有机化合物化学气相沉积MOCVD设备内，所述MOCVD设备包括反应腔、放置在所述反应腔内的可转动的转盘，所述转盘上设置有用于放置所述衬底的多个圆形凹槽，所述多个圆形凹槽分布在多个同心圆上；在所述AlN层上生长GaN成核层，所述多个圆形凹槽内的GaN成核层的厚度随所述同心圆的直径的增大而减小；在所述GaN成核层上依次生长未掺杂的GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层及P型GaN层。