[发明专利]一种薄膜太阳能电池制备方法有效
申请号: | 201811333138.8 | 申请日: | 2018-11-09 |
公开(公告)号: | CN109671803B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 张毅;王东潇;姜振武;陈江涛;高守帅;吴建宇;武莉;敖建平;孙云 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人: | 孟海娟 |
地址: | 300350 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开一种薄膜太阳能电池制备方法,包括以下步骤:在衬底上形成背电极;在背电极上形成金属预制层,将金属预制层在NaF溶液中进行浸泡处理并烘干,将烘干后的金属预制层进行后硒化处理形成吸收层;形成缓冲层;形成本征氧化锌层和掺杂氧化锌层;以及形成顶电极。本发明通过采用NaF溶液对金属预制层进行处理,使得薄膜太阳能电池的开路电压显著提高,器件效率得到了明显的提升。另外,本发明成本低廉,有利于商业化推广和应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜太阳能电池制备方法,其特征在于,包括以下步骤:背电极形成步骤,在衬底上形成背电极;吸收层形成步骤,在所述背电极上形成金属预制层,将所述金属预制层在NaF溶液中进行浸泡处理并烘干,将所述烘干后的金属预制层进行后硒化处理形成吸收层;缓冲层形成步骤,在所述吸收层上形成缓冲层;窗口层形成步骤,在所述缓冲层上形成本征氧化锌层和掺杂氧化锌层;以及顶电极形成步骤,在所述窗口层上形成顶电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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