[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201811333707.9 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN110444606A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 千大焕;周洛龙 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置可以包括：n型层、p+型区域、p‑型区域、第一电极和第二电极，所述n型层设置在衬底的第一表面上；所述p+型区域设置在衬底的第一表面上；所述p‑型区域设置在n型层的顶表面上；所述第一电极设置在p+型区域上和p‑型区域上；所述第二电极设置在衬底的第二表面上；其中，p+型区域的侧表面和n型层的侧表面接触，并且p+型区域的厚度与n型层的厚度和p‑型区域的厚度相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 衬底 第二电极 第一表面 第一电极 区域设置 侧表面 第二表面 顶表面 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：n型层，其设置在衬底的第一表面上；p+型区域，其设置在衬底的第一表面上；p‑型区域，其设置在所述n型层的顶表面上；第一电极，其设置在所述p+型区域的顶表面上和所述p‑型区域的顶表面上；第二电极，其设置在衬底的第二表面上；其中，所述p+型区域的侧表面和所述n型层的侧表面接触；所述p+型区域的厚度与所述n型层的厚度和所述p‑型区域的厚度的总和相同。
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