[发明专利]光学邻近修正和光掩模有效
申请号: | 201811334345.5 | 申请日: | 2018-11-09 |
公开(公告)号: | CN109782528B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 郑东祐;谢艮轩;张世明;李志杰;周硕彦;刘如淦 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本文提供了用于执行光学邻近修正和用于形成光掩模的技术的各个实例。在一些实例中,接收布局,布局包括要在光掩模上形成的形状。确定用于形状的多个目标光刻轮廓,多个目标光刻轮廓包括用于第一组工艺条件的第一目标轮廓和用于第二组工艺条件的与第一目标轮廓不同的第二目标轮廓。执行布局的光刻模拟以在第一组工艺条件下产生第一模拟轮廓,并且在第二组工艺条件下产生第二模拟轮廓。基于第一模拟轮廓和第一目标轮廓之间以及第二模拟轮廓和第二目标轮廓之间的边缘放置误差确定对布局的修改。本发明的实施例还涉及光学邻近修正和光掩模。 | ||
搜索关键词: | 光学 邻近 修正 光掩模 | ||
【主权项】:
1.一种制造光掩模的方法,包括:接收布局,所述布局包括要在光掩模上形成的形状;确定用于所述形状的多个目标光刻轮廓,其中,所述多个目标光刻轮廓包括用于第一组工艺条件的第一目标光刻轮廓和用于第二组工艺条件的与所述第一目标光刻轮廓不同的第二目标光刻轮廓;执行所述布局的光刻模拟以在所述第一组工艺条件下产生第一模拟轮廓,并且在所述第二组工艺条件下产生第二模拟轮廓;在所述第一模拟轮廓和所述第一目标光刻轮廓之间确定第一边缘放置误差,并且在所述第二模拟轮廓和所述第二目标光刻轮廓之间确定第二边缘放置误差;基于所述第一边缘放置误差和所述第二边缘放置误差确定对所述布局的修改;以及提供具有所述修改的所述布局以用于制造所述光掩模。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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