[发明专利]一种埋入式栅极结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811336185.8 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN111180507A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 冯大伟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种埋入式栅极结构及其制造方法，包括半导体衬底，半导体沉底上形成有栅极沟槽，半导体衬底上设有的介电层，其中，在每个栅极沟槽中，第一导电金属层沿栅极沟槽的两侧壁分布，第一导电金属层呈夹持状，将第二导电金属层夹持在两侧第一导电金属层之间，本发明能够降低栅极引发的漏极漏电流，增加半导体器件的稳定性，提升半导体器件的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 埋入 栅极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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