[发明专利]一种制备高纯碳化硅粉料的方法在审

专利信息
申请号: 201811338323.6 申请日: 2018-11-12
公开(公告)号: CN109502589A 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 靳婉琪;热尼亚 申请(专利权)人: 山东天岳先进材料科技有限公司
主分类号: C01B32/963 分类号: C01B32/963
代理公司: 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 代理人: 吴绍群
地址: 250100 山东省济南市高新区*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提出了一种制备高纯碳化硅粉料的方法,其特征在于,(1)选择高纯硅粉和高纯碳粉;(2)对高纯碳粉、石墨坩埚和保温结构进行一次提纯和二次提纯,其中,一次提纯采用真空脱气提纯,二次提纯采用惰性气体下的高温提纯;(3)将步骤(2)二次提纯得到的高纯碳粉和步骤(1)中的高纯硅粉置于步骤(2)二次提纯得到的石墨坩埚中,反应得到高纯碳化硅粉料。本发明通过对碳粉和石墨坩埚及保温结构进行预处理降低了高纯碳粉的含氮量与金属杂质含量,相比合成碳化硅后再进行湿法冶金处理,更为环保,且工序更简单,同时保证了合成碳化硅粉料时不会从石墨坩埚及保温结构中引入杂质。
搜索关键词: 提纯 石墨坩埚 高纯碳 粉料 高纯碳化硅 保温结构 合成碳化硅 高纯硅粉 制备 预处理 湿法冶金处理 惰性气体 金属杂质 真空脱气 含氮量 碳粉 引入 环保 保证
【主权项】:
1.一种制备高纯碳化硅粉料的方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:(1)选择高纯硅粉和高纯碳粉;(2)对高纯碳粉、石墨坩埚和保温结构进行一次提纯和二次提纯,其中,一次提纯采用真空脱气提纯,二次提纯采用惰性气体下的高温提纯;(3)将步骤(2)二次提纯得到的高纯碳粉和步骤(1)中的高纯硅粉置于步骤(2)二次提纯得到的石墨坩埚中,反应得到高纯碳化硅粉料。
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