[发明专利]半导体器件与其制作方法在审
| 申请号： | 201811339676.8 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN111170264A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 王英辉;尚海平;王玮冰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该半导体器件包括：具有凹槽的第一电极层；介质层，位于凹槽的表面上以及凹槽两侧的第一电极层的表面上，介质层具有电极接触通孔；第二电极层，位于介质层的远离第一电极层的一侧，且第二电极层和凹槽表面上的介质层形成空腔，第一电极层的材料和/或第二电极层的材料包括SiC；第一电极，至少部分位于电极接触通孔中且与第一电极层接触；第二电极，至少部分位于第二电极层的远离介质层的表面上。的半导体器件中，第一电极层的材料和/或第二电极层的材料包括SiC，SiC的耐高温性能较好，使得该半导体器件的耐高温性能较好，可以在大于或者等于500℃的环境下准确测量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
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