[发明专利]一种谐振式压力传感器及制作工艺在审
| 申请号： | 201811339734.7 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN110031133A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健 | 申请（专利权）人： | 罕王微电子（辽宁）有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/10 | 分类号： | G01L1/10 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 113000 辽宁省抚顺*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种谐振式压力传感器，包括硅晶圆，薄膜部分，谐振部分，谐振部分固定点，背孔，盖帽，吸气剂层，支撑硅层，埋层氧化层，顶层硅薄膜，多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜；SOI晶圆是由顶层硅薄膜、埋层氧化层和支撑硅层组成；以硅晶圆或是SOI晶圆作为衬底，形成谐振式压力传感器的薄膜部分，或者在SOI晶圆衬底上由顶层硅薄膜和多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜，形成谐振式压力传感器的薄膜部分。一种谐振式压力传感器的制作工艺，谐振部分是通过淀积外延/多晶硅层实现的，衬底通过刻蚀工艺形成流体进入到薄膜的通道‑谐振式压力传感器的背孔。本发明的优点：整体结构紧凑，精度高，制作工艺简单，容易控制，产品适用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振式压力传感器 薄膜 谐振 制作工艺 顶层硅 衬底 晶圆 多晶硅薄膜 埋层氧化层 氧化层薄膜 淀积膜 硅晶圆 背孔 硅层 部分固定 多晶硅层 刻蚀工艺 吸气剂层 淀积 盖帽 流体 支撑 紧凑 | ||
【主权项】：
1.一种谐振式压力传感器，其特征在于：所述的谐振式压力传感器,包括硅晶圆(1)，薄膜部分(2)，谐振部分(3)，谐振部分固定点(4)，背孔(5)，盖帽(6)，吸气剂层(7)，支撑硅层(8)，埋层氧化层(9)，顶层硅薄膜(10)，多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜(11)；其中：SOI晶圆(12)是由顶层硅薄膜(10)、埋层氧化层(9)和支撑硅层(8)组成；以硅晶圆(1)或是SOI晶圆(12)作为衬底，在硅晶圆(1)衬底经过多次交替淀积氧化层或者多晶硅层，形成谐振式压力传感器的薄膜部分(2)，或者在SOI晶圆(12)衬底上由顶层硅薄膜(10)或是由SOI晶圆上的顶层硅薄膜(10)和多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜(11)，形成谐振式压力传感器的薄膜部分(2)；SOI晶圆(12)位于底部，上部为通过谐振部分固定点(4)连接的谐振部分(3)，谐振部分(3)的外部为壳体，壳体上部为盖帽(6)。
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