[发明专利]一种浅槽隔离结构的制备方法及浅槽隔离结构在审
| 申请号： | 201811340906.2 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109346434A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 赵东光 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种浅槽隔离结构的制备方法及浅槽隔离结构，包括：步骤S1，提供定义有有源区和浅槽隔离区的一衬底，并于衬底的浅槽隔离区内制备形成凹槽；步骤S2，采用一隔离材料填充每个凹槽形成浅槽隔离预制备结构，并制备一牺牲层覆盖衬底的有源区，且浅槽隔离预制备结构的上表面高于牺牲层的上表面；步骤S3，制备一保护结构覆盖浅槽隔离预制备结构暴露的侧壁；步骤S4，去除牺牲层；步骤S5，对衬底和保护结构暴露的表面进行热氧化工艺，形成覆盖衬底表面的栅氧化层以及保护结构与浅槽隔离预制备结构结合形成的浅槽隔离结构；保证了最终形成的浅槽隔离结构的完整，避免了可能相应产生的漏电情况。 | ||
| 搜索关键词： | 浅槽隔离结构 浅槽隔离 制备 衬底 预制 保护结构 牺牲层 上表面 源区 覆盖 半导体技术领域 浅槽隔离区 热氧化工艺 凹槽形成 衬底表面 隔离材料 结构结合 栅氧化层 漏电 暴露 侧壁 去除 填充 保证 | ||
【主权项】：
1.一种浅槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供定义有有源区和浅槽隔离区的一衬底，并于所述衬底的所述浅槽隔离区内制备形成凹槽；步骤S2，制备一牺牲层覆盖所述衬底的所述有源区，并采用一隔离材料填充每个所述凹槽形成浅槽隔离预制备结构，且所述浅槽隔离预制备结构的上表面高于所述牺牲层的上表面；步骤S3，制备一保护结构覆盖所述浅槽隔离预制备结构暴露的侧壁；步骤S4，去除所述牺牲层；步骤S5，对所述衬底和所述保护结构暴露的表面进行热氧化工艺，形成覆盖所述衬底表面的栅氧化层以及所述保护结构与所述浅槽隔离预制备结构结合形成的浅槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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