[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤。衬底具有虚设区域及存储器单元区域。在存储器单元区域的衬底上方形成多个第一堆叠结构。在虚设区域中的衬底上方形成至少一个第二堆叠结构。在衬底上方形成导电层，以覆盖第一堆叠结构及至少一个第二堆叠结构。对导电层执行平坦化工艺，以暴露第一堆叠结构及至少一个第二堆叠结构的顶表面。图案化导电层，以在相邻的两个第一堆叠结构之间形成擦除栅极，以及在相邻的两个第一堆叠结构外部形成第一选择栅极及第二选择栅极。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，包括：提供具有虚设区域及存储器单元区域的衬底；在所述存储器单元区域中的所述衬底上方形成多个第一堆叠结构；在所述虚设区域中的所述衬底上方形成至少一个第二堆叠结构，其中所述至少一个第二堆叠结构包括虚设栅极结构；在所述衬底上方形成导电层，以覆盖所述第一堆叠结构及所述至少一个第二堆叠结构；对所述导电层执行平坦化工艺，以暴露所述第一堆叠结构的顶表面及所述至少一个第二堆叠结构的顶表面；以及图案化所述导电层，以在相邻的两个第一堆叠结构之间形成擦除栅极，并在所述相邻的两个第一堆叠结构外部形成第一选择栅极及第二选择栅极。